[发明专利]一种硅基钙钛矿双二极管双面太阳电池及其制备方法在审
申请号: | 201911274419.5 | 申请日: | 2019-12-12 |
公开(公告)号: | CN110943103A | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 康海涛;胡燕;吴中亚;郭万武 | 申请(专利权)人: | 中建材浚鑫科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L51/42 |
代理公司: | 无锡睿升知识产权代理事务所(普通合伙) 32376 | 代理人: | 张悦 |
地址: | 214400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种硅基钙钛矿双二极管双面太阳电池及其制备方法,包括底电池、复合层和顶电池,所述底电池包括P型硅基底、AlOx薄膜层、SiONx薄膜层和下电极,所述AlOx薄膜层、SiONx薄膜层依次制备在P型硅基底下侧,所述下电极穿过AlOx薄膜层和SiONx薄膜层与P型硅基底的P+重掺区连接,所述P型硅基底正面制备N+掺杂层形成底电PN结,且所述复合层制备在N+掺杂层上,所述顶电池制备在复合层上,所述顶电池包括自下向上依次设置的空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层和透明导电薄膜层,所述透明导电薄膜层上连接上电极,所述底电池和顶电池通过复合层串联,所述硅基钙钛矿双二极管双面太阳电池光电转换效率高,工艺成熟,工业化程度高。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅基钙钛矿双 二极管 双面 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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