[发明专利]一种氢同位素结晶高度及表面粗糙度干涉测量装置及方法有效
| 申请号： | 201911274436.9 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111043973B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 刘东;臧仲明;张鹄翔;陈楠;刘崇;彭韶婧 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06;G01B11/30 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氢同位素结晶高度及表面粗糙度干涉测量装置及方法，其中，装置包括干涉测量系统、位移系统和计算机处理模块；方法包括：在显微观测模式下，操控位移系统扫描拍摄整个结晶生长面，并进行图像拼接，得到全部区域图像，确认需要监控的精确位置；将测量系统观察视场对准监控区域，切换到干涉测量模式，利用干涉图条纹相位测量技术实现对待测区域生长高度及生长最终状态表面粗糙度测量。利用本发明的装置及方法，可实现对氢同位素低温结晶生长高度及表面粗糙度的非接触式测量，消除真空室玻璃、生长基底强反射光及生长过程边界断裂等对常见干涉显微系统的影响，实现高精度测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氢同位素 结晶 高度 表面 粗糙 干涉 测量 装置 方法 | ||
【主权项】：
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