[发明专利]一种量子点单光子源及其制备方法有效
| 申请号： | 201911274935.8 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111029446B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 余鹏;王志明;马翠苹;巫江 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人： | 李华;温黎娟 |
| 地址： | 610054 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种量子点单光子源及其制备方法，包括从下到上依次排列的衬底层、金属层、电介质层、纳米线量子点层；所述纳米线量子点层设置成圆柱形，并包括纳米线量子点层底层、纳米线量子点层中层、纳米线量子点层顶层；所述纳米线量子点层的两侧对应位置设置有呈三角形对称的等离激元结构层；所述等离激元结构层设置在纳米线量子点层中层的高度位置。本发明的量子点单光子源能通过纳米线量子点层和等离激元结构层的耦合，改变二能级系统的局部光学态密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 光子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911274935.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
