[发明专利]发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201911275147.0 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN112993107A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 林素慧;何安和;彭康伟;夏章艮;黄禹杰 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法。在一些实施例中，该发光二极管包括：基板，具有相对的第一表面和第二表面，及连接该第一表面、第二表面的侧壁；发光外延叠层，形成于所述基板的第一表面之上，包括自所述基板的第一表面堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。进一步地，所述基板的侧壁具有一切割面，所述切割面起始于所述基板的第一表面一侧，所述基板的厚度方向上的宽度为所述LED芯片的基板之厚度的三分之一以上。该切割面为在LED芯片单一化过程中，从LED晶圆的正面切割发光外延叠层并深入至基板内部形成，与所述基板的上表面形成相对一致的夹角，从而获得形状规则、尺寸统一的LED芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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