[发明专利]单晶AlN薄膜及其制备方法和应用

摘要

本发明属于薄膜制备技术领域，公开了单晶Al2O3/TiN/AlN薄膜的制备方法和应用；本发明通过控制AlN薄膜的生长温度、选择AlN薄膜生长的能流密度、TiN底电极的能流密度以及控制腔体内氮气压力，采用脉冲激光沉积的方法制备得到了单晶Al2O3/TiN/AlN薄膜，该方法制备过程简单，操作简便，容易实现，所制备得到的单晶Al2O3/TiN/AlN薄膜具有很好的外延性、结晶性，也具有优秀的致密性和平整度，当用于射频前端工作的介电电容器时，其介电性能优秀，且电容器具有不可调性，具有很大的开发应用价值。