[发明专利]一种减小热应力的TSV结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201911275743.9 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111081666A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 吴罚;唐昭焕;朱克宝 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/535;H01L21/768 |
| 代理公司： | 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 | 代理人： | 仇倩倩 |
| 地址： | 400030 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种减小热应力的TSV结构及其形成方法，包括：在晶圆的硅基衬底层一侧制作金属垫片层、绝缘介质层；在硅基衬底层内制作贯穿硅基衬底层的导通孔并在导通孔内填充阻挡层和电镀铜柱，形成具有空洞的通孔柱。所述通孔柱包括侧壁阻挡层和铜柱，所述铜柱内设置有封闭的空洞且其中填充有惰性气体以形成通孔柱自由变形的扩展区；所述通孔柱设于所述导通孔内并与其内侧壁接触，所述铜柱一端与所述金属垫片层电性接触。本发明的一种空洞TSV结构可以更有效地减小硅基底与铜柱之间的热应力，其形成方法具有工艺兼容性强、机械可靠性高的优点，广泛用于3D晶圆级封装领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 应力 tsv 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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