[发明专利]一种片上单晶材料的制备方法在审
| 申请号： | 201911278691.0 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111146141A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;林翔;罗彦娜;刘占峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种片上单晶材料的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，其具有第一键合互连面；于第一键合互连面，对半导体衬底进行热氧化处理，在半导体衬底上形成热氧化层；提供芯片；其中，芯片具有第二键合互连面；对半导体衬底的热氧化层与芯片的第二键合互连面进行低温键合处理；对半导体衬底的另一面进行减薄处理，以在芯片上保留预设厚度的半导体衬底。本发明提供的片上单晶材料的制备方法，在进行键合互连前，于第一键合互连面，对后续与芯片进行键合的半导体衬底进行热氧化处理，在半导体衬底的上表面形成热氧化层，这样在后续进行热氧化层与芯片的第二键合互连面进行低温键合处理时，可以大幅度的提升氢键成键比例、提升键合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 片上单晶 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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