[发明专利]一种抗辐照近红外焦平面探测器及制作方法有效
| 申请号： | 201911278922.8 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111128992B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 樊鹏;高新江;崔大健;周勋;陈扬;申志辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L27/144;H01L31/0304;H01L31/102;H01L31/18 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 王海军 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体光电探测器领域，具体涉及一种抗辐照近红外焦平面探测器及制作方法；所述探测器包括探测器阵列芯片和CMOS读出电路；所述探测器阵列芯片通过铟柱连接CMOS读出电路；所述探测器阵列芯片的像元区由中心向四周依次为有效像元、哑元和冗余像元构成；本发明借助金属遮罩层对哑元进行遮挡，使得哑元不输出光生信号；利用哑元提供补偿电流，分流有效像元在辐照之后上升的暗电流；本发明结构简单，考虑工艺制作的可行性，能够有效解决近红外焦平面探测器在空间辐照环境中性能参数退化的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐照 红外 平面 探测器 制作方法 | ||
【主权项】：
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