[发明专利]一种实现近红外光吸收增强的微纳米阵列结构在审

专利信息
申请号: 201911279501.7 申请日: 2019-12-13
公开(公告)号: CN111029421A 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 杨鹏飞;张锦;蒋世磊;孙国斌;季雪淞;杨柳 申请(专利权)人: 西安工业大学
主分类号: H01L31/0232 分类号: H01L31/0232;H01L31/0236;G02B5/00
代理公司: 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 代理人: 韩翎
地址: 710032 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种实现近红外光吸收增强的微纳米阵列结构,微结构包括微纳米阵列结构的基底、微纳米阵列柱、填充在所述微纳米阵列结构空隙中的填充物。所述微纳米阵列结构的基底为单晶硅,用于作为所述微纳米阵列柱的结构载体;所述微纳米阵列柱为周期分布的硅柱状结构,覆盖于所述基底上,用于增加对光源吸收;所述填充物为金属物和缓冲层,所述填充物设置在所述相邻的微纳米阵列柱的空隙中,因该填充物为金属,在光照下,微结构阵列的局域表面发生等离子体共振效应,从而实现对近红外波段光吸收增强。该微纳米阵列结构从所设计微纳阵列的边长、占空比、高度、填充物等方面进行优化,从而提高该微结构在近红外波段的光吸收效率。该发明在抗反射,隐身,太阳能电池等领域具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 实现 红外 光吸收 增强 纳米 阵列 结构
【主权项】:
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