[发明专利]一种基于二型量子阱的双波段红外光电探测器

摘要

本发明公开了一种基于二类量子阱的双波段红外光电探测器，其特征在于，包括依次复合的InP衬底、在InP衬底上生长的延长短波红外InGaAs阳极接触层、延长短波红外InGaAs/GaAsSb二类量子阱吸收层、延长短波红外InGaAs/GaAsSb二类量子阱阴极接触层、近红外InGaAs阴极接触层、近红外InGaAs吸收层、近红外InGaAs阳极接触层，以及两个阳极金属电极及一个阴极金属电极。本发明基于生长技术成熟的InP衬底，使用的化合物半导体材料与InP衬底晶格匹配，从而有较低的暗电流，较高的信噪比，吸收谱能够覆盖1.7‑2.8μm波段，同时还具有一定的可调节范围。