[发明专利]一种改善硅抛光片表面粗糙度的抛光方法有效
| 申请号： | 201911280083.3 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN112975578B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 路一辰;李俊峰;潘紫龙;王玥;王新 | 申请（专利权）人： | 有研半导体硅材料股份公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善硅抛光片表面粗糙度的抛光方法，该抛光方法包括以下步骤：(1)对硅片背面进行喷蜡处理，将硅片贴在陶瓷板上；(2)将贴在陶瓷板上的硅片先进行粗抛光；(3)将完成粗抛光的硅片进行1、2号中抛光；(4)将完成中抛光的硅片进行精抛光处理，该精抛光处理包括四个阶段；(5)对完成抛光的硅片进行取片处理，将硅片存放在含有0.5％‑1％活性剂的水槽中，水槽温度控制在16‑18℃。本发明通过改善中抛和精抛抛光工艺和抛光后硅片存放处理，有效的改善了硅片表面粗糙度，提高后工序外延加工和器件加工的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 抛光 表面 粗糙 方法 | ||
【主权项】：
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