[发明专利]一种全息干涉记录手段制备小占宽比全息光栅的方法

摘要

本发明公开了一种采用全息干涉记录手段进行二次曝光制备小占宽比全息光栅的新方法。其步骤为：用两相干平行光对记录材料进行第一次曝光，然后在不改变记录光束的情况下，用步进电机调整记录材料位置，进行第二次曝光，二次曝光完成后进行显影。该方法比离子刻蚀方法更易实现，只比一般全息光栅的制备过程多一次记录材料的移动和曝光过程，可以利用原有制备一般全息光栅的设备进行二次曝光制备小占宽比全息光栅。与已有的方法比，所增加的曝光工序较简单，不仅对制备材料没有特殊要求，而且不需要额外的设备和特殊元件。这种方法制备过程简单，制备速度快，且制备成本低。