[发明专利]厘米级铬氧化物单晶及其制备方法和存储器件在审
| 申请号： | 201911281088.8 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110904497A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 李海峰;朱英浩;吴思;汤子康 | 申请（专利权）人： | 澳门大学 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C30B29/16;H01L43/10 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 王晖;刘书芝 |
| 地址： | 中国澳门*** | 国省代码： | 澳门;82 |
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| 摘要： | 本发明涉及单晶材料的制备领域，具体而言，涉及一种厘米级铬氧化物单晶及其制备方法和存储器件。该制备方法包括：利用等静压法对铬化合物和经过固相烧结形成的含铬的单相多晶物质的混合物进行造型，再利用激光浮区法生长形成厘米级铬氧化物单晶。通过上述方法能够制备得到厘米级的单晶，扩大其应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 厘米 氧化物 及其 制备 方法 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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