[发明专利]MOSFET内阻检测电路及该电路检测MOSFET温度的方法在审
| 申请号： | 201911281413.0 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110940905A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 徐海霞 | 申请（专利权）人： | 常州工业职业技术学院 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R27/14;G01K7/16 |
| 代理公司： | 常州市权航专利代理有限公司 32280 | 代理人： | 赵慧 |
| 地址： | 213000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及电路检测技术领域，特别是一种MOSFET内阻检测电路及利用MOSFET内阻变化检测电路检测MOSFET温度的方法。一种MOSFET内阻检测电路，包括，内置于电机控制器的检测电路和母线采样电阻分压采样电路，用以测出母线采样电阻分压；MOSFET内阻分压采样电路，用以测出MOSFET内阻分压；根据测出的母线采样电阻的分压和MOSFET内阻分压，利用欧姆定律计算出MOSFET的内阻。本发明在电机控制器的软件中植入两种算法，利用母线电流重构电机相电流的算法和利用MOSFET分压检测电机相电流的算法，在不同的温度条件下，从MOSFET内阻获取的相电流值与从母线采样电阻获取的相电流值是不同的。根据他们反馈电压的比例关系可以获取当前MOSFET的结温。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 内阻 检测 电路 温度 方法 | ||
【主权项】：
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