[发明专利]功率半导体器件在审
| 申请号： | 201911281432.3 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111326566A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | O.洪贝尔;J-G.鲍尔;J.布兰登布格;D.卡尔;P.S.科赫;A.科普罗夫斯基;S.克伦普;T.库尔茨曼;E.莱歇尔;H.吕廷 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L21/336;H01L21/329;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有功率半导体晶体管配置的功率半导体器件包括：半导体本体，其具有耦合到第一负载端子结构的前侧、耦合到第二负载端子结构的背侧和横向芯片边缘；有源区，其被配置用于在功率半导体器件的导通状态下在第一负载端子结构和第二负载端子结构之间传导负载电流；以及边缘终止区，其将有源区与横向芯片边缘分开。在前侧处，边缘终止区包括保护区，其不包括任何金属结构，除非金属结构被多晶硅层从下方电屏蔽，所述多晶硅层比金属结构更朝向横向芯片边缘延伸至少20μm的横向距离。在功率半导体器件的阻断状态下，保护区被配置为容纳在从有源区朝向横向芯片边缘的横向方向上的半导体本体内部的阻断电压的至少90%的电压变化。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
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