[发明专利]功率半导体器件在审
| 申请号： | 201911282734.2 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111326575A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | R.巴布尔斯克;M.耶利内克;F-J.尼德诺斯泰德;F.D.普菲尔施;C.P.桑多;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
功率半导体器件包括有前侧和背侧的半导体本体，其包括第一导电类型的漂移区；第一导电类型的场停止区，布置在漂移区和背侧间且有比漂移区更高掺杂剂浓度的掺杂剂，通过经由背侧的质子注入创建；和第一导电类型的发射极调整区，布置在场停止区和背侧间且有比场停止区更高掺杂剂浓度的掺杂剂。场停止区包括呈现第一局部最大值和第一局部最小值的掺杂剂浓度分布，第一局部最小值布置在第一局部最大值和场停止区的掺杂剂浓度分布的另一局部最大值间和/或第一局部最大值和发射极调整区的掺杂剂浓度分布的最大值间，第一局部最大值处的掺杂剂浓度高到第一局部最小值处的掺杂剂浓度的至多三倍，半导体本体是或包括有至少1E17 cm |
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| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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