[发明专利]一种降低暗电流的氧化层制备方法及复合结构有效
| 申请号： | 201911283396.4 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111029247B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 李亭亭;贺晓彬;项金娟;王晓磊;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B29/06;C30B33/00 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386 | 代理人： | 卢楠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低暗电流的氧化层制备方法及复合结构，属于暗电流技术领域，解决了现有技术中氧化层质量较差、暗电流较大、生产时间较长、成本较高的问题。氧化层制备方法包括如下步骤：对硅衬底进行清洗以及去除自然氧化层；采用氧化工艺在硅衬底上形成氧化层；使用光刻技术在氧化层表面形成光刻图形；利用刻蚀在氧化层上形成凹槽结构。降低暗电流的氧化层复合结构包括层叠布置的硅衬底和氧化层，氧化层上有一个凹槽结构。本发明的制备方法制备的氧化层及复合结构生产时间较短、暗电流较小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 电流 氧化 制备 方法 复合 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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