[发明专利]基于氧化镓的PN结结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201911283538.7 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111063742B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;郝伟兵;徐光伟;刘琦;赵晓龙;刘明 | 申请（专利权）人： | 合肥中科微电子创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/267;H01L29/45;H01L21/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市中国（安徽）自由贸易试验区合肥市高新区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氧化镓的PN结结构，自上而下依次包括：第一电极层、p型层、n型层和衬底层，p型层和n型层相接触形成PN结；第一电极层为氧化物电极，p型层为p型氧化物层，n型层为n型氧化镓基层。本发明公开的PN结结构极大降低了PN结的反向漏电流，提高器件的击穿电压，以提升PN结的性能；同时，采用氧化物电极分别与p型氧化物半导体、N型氧化物半导体形成欧姆接触，进一步降低全氧化物PN结的开启电压和导通电阻。此外，采用全氧化物(电极与半导体材料均是氧化物)的PN结结构能够避免与非氧化物材料在接触界面处的氧化反应，有效降低界面态密度，从而更好地调节界面缺陷问题，提高器件性能的同时可易于实现大规模的工业制造。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化 pn 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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