[发明专利]漏磁检测提离补偿和缺陷深度解析的方法及装置有效
| 申请号： | 201911284632.4 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111044605B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 黄松岭;龙跃;彭丽莎;王珅;赵伟 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01N27/83 | 分类号： | G01N27/83;G06F30/20 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 石茵汀 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种漏磁检测提离补偿和缺陷深度解析的方法及装置，其中，该方法包括：获取两个三轴磁场测量芯片在法向方向上的高度差；获取两个三轴磁场测量芯片当前提离和高度差下的磁场值；对两个三轴磁场测量芯片的磁场值进行磁场转换变量，得到第一切向分量和第一法向分量，第二切向分量和第二法向分量；根据上述两个切向分量和两个法向分量计算得到第一深度提离复合变量和第二深度提离复合变量；利用两个深度提离复合变量，分别解算出当前两个三轴磁场测量芯片的提离值和当前的缺陷深度；利用缺陷深度对当前的磁场值进行补偿计算，得到目标提离值下的磁场值。该方法能在偏移和波动的提离值下解析缺陷深度，并实时补偿提离得到缺陷磁信号。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 补偿 缺陷 深度 解析 方法 装置 | ||
【主权项】：
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