[发明专利]低腐蚀坑密度6英寸半绝缘砷化镓晶片在审
| 申请号： | 201911284634.3 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111321456A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 拉贾拉姆·谢蒂;刘卫国;杨盛世 | 申请（专利权）人： | AXT公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/42;H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 刘文静;王媛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种用于低腐蚀坑密度6英寸半绝缘砷化镓晶片的方法和体系可包括一种半绝缘砷化镓单晶晶片，所述晶片的直径为6英寸或更大，不含意图用于降低位错密度的掺杂剂，腐蚀坑密度小于1000cm |
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| 搜索关键词： | 腐蚀 密度 英寸 绝缘 砷化镓 晶片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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