[发明专利]一种PN结压阻式扩散硅压力传感器及制作方法在审
| 申请号： | 201911288464.6 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN110823422A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 贾文博;张治国;郑东明;祝永峰;任向阳;关维冰;白雪松;尹萍 | 申请（专利权）人： | 沈阳仪表科学研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/06 |
| 代理公司： | 沈阳科威专利代理有限责任公司 21101 | 代理人： | 杨滨 |
| 地址： | 110172 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种工艺简单，可靠性高的PN结压阻式扩散硅压力传感器及制作方法，属于微电子技术领域。该方法是将经过清洗的抛光片，依次经过外延、氧化、光刻、刻蚀等工艺按照一定的组合制作出的一种工艺简单，成本低的PN结压阻式扩散硅压力传感器；其中：外延需要精确控制其掺杂浓度与生长的厚度，作为器件层，代替传统的注入；氧化层的目的是为了保护芯片：光刻和刻蚀是为了必要的器件制作。采用本发明方法可以降低现有的工艺/设计难度，减少工艺步骤，降可靠性高，可应用于PN结压阻式扩散硅压力传感器的制备以及SOI压力传感器的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pn 结压阻式 扩散 压力传感器 制作方法 | ||
【主权项】：
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