[发明专利]芯片和芯片的分离方法在审
| 申请号： | 201911288565.3 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN112992781A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 杨华 | 申请（专利权）人： | 杨华 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214500 江苏省泰*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种芯片和芯片的分离方法，包括步骤：对多个测试和监控图形结构形成于晶片上的位置进行设置，使各芯片间的分离槽的宽度至少在一个方向上小于20微米；形成一张分离槽刻蚀掩膜版并利用该分离槽刻蚀掩膜版对分离槽的介质膜、或者介质膜和金属膜进行刻蚀以及分离槽下方的衬底进行刻蚀；进行背面减薄和通过施加压力使芯片和芯片分离。本发明能减少各芯片间的分离槽的宽度、能提高分割的稳定性和芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 分离 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
