[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层表面处理装置有效
申请号: | 201911289875.7 | 申请日: | 2019-12-16 |
公开(公告)号: | CN111029423B | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 徐根保;刘小雨;朱登华;张鑫根;蒋继文;张宽翔 | 申请(专利权)人: | 凯盛光伏材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0445;H01L31/18 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人: | 陈俊 |
地址: | 233010 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层表面处理装置,包括依次连通的第一清洗腔室、第一风刀干燥腔室、化学反应腔室、第二风刀干燥腔室、第二清洗腔室与加热干燥腔室,每个腔室内均设有用于运输衬底的输送辊道;第一清洗腔室内的输送辊道上方设有等离子水喷淋设备、输送辊道之间间隔设有滚刷清扫设备;第二风刀干燥腔室内的上部设有风刀吹干机;化学反应腔室内储存有化学溶解剂,用于对太阳能电池吸收层的硒化物与硫化物进行溶解;加热干燥腔室内设有烘干风机;该处理装置能够简单方便地对吸收层表面的颗粒与毛刺进行处理,优化吸收层表面形貌。 | ||
搜索关键词: | 一种 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 吸收 表面 处理 装置 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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