[发明专利]铝垫的形成方法以及包含铝垫的器件有效
申请号: | 201911291628.0 | 申请日: | 2019-12-16 |
公开(公告)号: | CN111128770B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 郭振强 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/485 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 黎伟 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请公开了一种铝垫的形成方法以及包含铝垫的器件,该方法包括:在第一介质层上形成第二介质层;通过光刻工艺刻蚀去除目标金属互连线上的第二介质层,形成沟槽;在第二介质层和沟槽表面形成铝金属层,沟槽内的铝金属层形成凹陷;在铝金属层表面形成硬掩模层;在硬掩模层上涂布光阻层;刻蚀去除沟槽外的光阻层,使沟槽外的硬掩模层暴露;刻蚀去除沟槽外的硬掩模层,使沟槽外的铝金属层暴露;刻蚀去除沟槽外的铝金属层和沟槽内的光阻层,使第二介质层暴露且剩余的硬掩模层在凹陷的内壁形成筒状的硬掩模垫片结构。由于本实施例提供的方法中仅通过一次光刻工艺进行刻蚀,降低了制造工艺的复杂度,在一定程度上降低了制造成本。 | ||
搜索关键词: | 形成 方法 以及 包含 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造