[发明专利]改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法有效
| 申请号： | 201911291715.6 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN110923660B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 王剑敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/24 | 分类号： | C23C16/24;C23C16/513;C23C16/52 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法，其特征在于：在淀积掺杂非晶硅薄膜时，在参与反应的气体中通入锗烷。淀积时，淀积温度300～450摄氏度，压力1～10Torr，高频功率100～1000w,低频功率100～1000w,硅烷流量100～1000sccm，淀积时间10～100s，Ar流量500～5000sccm。锗烷流量为10～1000sccm，淀积时间10～100s。本发明在通入了一定量的锗烷后，由于Ge和B的结合能力与硅不同从而改变了掺杂的分布，改善了面内均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 掺杂 非晶硅 薄膜 方块 电阻 均一 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
