[发明专利]一种金属铟修饰的硅光电阴极薄膜制备方法和应用在审
| 申请号： | 201911291731.5 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN110904474A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 罗文俊;胡文健;董洪政;任斐隆;宋文涛;邹志刚 | 申请（专利权）人： | 南京大学;南京大学昆山创新研究院 |
| 主分类号： | C25D3/54 | 分类号： | C25D3/54;C25D5/54;C25D17/00;C25B1/04;C25B1/00;C25B3/04;C25B11/04 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种金属铟修饰的硅光电阴极薄膜制备方法，将硅片依次置于有机溶剂清洗剂和去离子水中超声清洗30±10分钟，其后将硅片放入10±5％氢氟酸水溶液中刻蚀20‑100秒备用；2)将金属铟盐In(NO |
||
| 搜索关键词： | 一种 金属 修饰 光电 阴极 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学;南京大学昆山创新研究院，未经南京大学;南京大学昆山创新研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911291731.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
