[发明专利]垂直半导体装置及其制造方法

摘要

垂直半导体装置及其制造方法。一种制造半导体装置的方法包括以下步骤：通过在基板上方交替地层叠介电层和牺牲层来形成包括下多层层叠物和上多层层叠物的交替层叠物；形成将上多层层叠物划分为虚设层叠物的垂直沟槽；形成从垂直沟槽向下延伸以将下多层层叠物划分为焊盘层叠物和虚设焊盘层叠物的不对称阶梯沟槽，其中，形成不对称阶梯沟槽的步骤包括：形成限定在焊盘层叠物的边缘处的第一阶梯侧壁；以及形成限定在虚设焊盘层叠物的边缘处并占据比第一阶梯侧壁小的面积的第二阶梯侧壁。