[发明专利]一种基于MOS管的忆容器及其制备方法有效
| 申请号： | 201911292674.2 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN110957377B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 商尚炀;夏奕东 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/34;C23C14/16;C23C14/35;C23C14/58;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 江苏法德东恒律师事务所 32305 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于MOS管的忆容器及其制备方法。该忆容器的结构为：在衬底上依次生长有第一氧化物介质层、CuO |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 mos 容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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