[发明专利]用于制造半导体装置的方法及系统在审
| 申请号： | 201911292819.9 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN111383928A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 周卫;B·K·施特雷特;B·L·麦克莱恩;M·E·塔特尔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L23/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及用于制造半导体装置的方法及系统。一种热压缩接合TCB设备可包含壁，所述壁具有在第一方向上测量的高度且经配置以定位于半导体接合设备的第一按压表面与第二按压表面之间。所述设备可包含至少部分地由所述壁环绕的腔，所述腔经大小设定以接纳半导体衬底及定位于所述半导体衬底与所述第一按压表面之间的半导体裸片堆叠，所述半导体裸片堆叠及半导体衬底具有在所述第一方向上测量的经组合未按压堆叠高度。在一些实施例中，所述未按压堆叠高度大于所述壁的所述高度，且所述壁经配置以由所述第一按压表面接触来限制在半导体接合工艺期间所述第一按压表面朝向所述第二按压表面的移动。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 装置 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
