[发明专利]与半导体器件的端接区相关的装置在审
申请号: | 201911293868.4 | 申请日: | 2014-03-17 |
公开(公告)号: | CN111106011A | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·A·叶季纳科;迪安·E·普罗布斯特;理查德·斯托克斯;金洙丘;杰森·希格斯;弗雷德·塞西诺;陈晖;史蒂文·P·萨普;杰森·普雷切;M·L·莱因海默 | 申请(专利权)人: | 飞兆半导体公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/739 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 张玮;王琳 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在一个总的方面,本发明提供了一种装置,该装置可包括半导体区以及限定在所述半导体区内的槽。所述槽可具有沿着竖向轴线对齐的深度并具有沿着与所述竖向轴线正交的纵向轴线对齐的长度。所述槽可具有包括在所述半导体区的端接区中的长度的第一部分,并可具有包括在所述半导体区的有源区中的长度的第二部分。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 端接 相关 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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