[发明专利]一种等离子体炬阴极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911295258.8 申请日: 2019-12-16
公开(公告)号: CN112996208B 公开(公告)日: 2023-07-07
发明(设计)人: 高志开;齐会龙;李俊辉;耿金峰;聂革;孟垂舟;陈培培 申请(专利权)人: 新奥科技发展有限公司
主分类号: H05H1/24 分类号: H05H1/24
代理公司: 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 代理人: 郑久兴
地址: 065001 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种等离子体炬阴极及其制备方法,等离子体炬阴极的制备方法包括:将铜包覆在材质为金属铪的电极本体的表面进行一次烧结,得到一次烧结体,一次烧结体中,电极本体与烧结得到的铜层之间形成铪铜合金层;将银包覆在一次烧结体的表面进行二次烧结,得到二次烧结体,二次烧结体中,烧结得到的银层和铜层相连接处形成铜银合金层。等离子体炬阴极包括:电极本体,其材质为金属铪;银散热层,包覆于电极本体的外表,并与电极本体连接;过渡层,其用于连接银散热层与电极本体,过渡层靠近电极本体一侧为铪铜合金层,过渡层靠近银散热层一侧为铜银合金层。该阴极导电性能和散热性能良好,且散热层与电极本体连接稳固,提升电极的使用寿命。
搜索关键词: 一种 等离子体 阴极 及其 制备 方法
【主权项】:
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