[发明专利]沟槽型功率MOSFET及其工艺方法在审
| 申请号： | 201911297111.2 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN110993693A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 颜树范 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型功率MOSFET,在一半导体基片中具有多个第一沟槽，所述的多个第一沟槽内填充有第一介质层；所述第一介质层中再形成3个第二沟槽，所述第二沟槽包括位于中间的源控制栅沟槽以及位于源控制栅两侧的多晶硅栅沟槽，所述源控制栅的沟槽深度大于多晶硅栅的沟槽深度；所述源控制栅的沟槽与多晶硅栅的沟槽中还具有第二介质层，所述第二介质层附着于所述各沟槽的内侧壁及底部；所述的源控制栅沟槽以及多晶硅栅沟槽中均填充满多晶硅。本发明通过在源控制栅与多晶硅栅之间增加第二介质层，使得源控制栅与多晶硅栅之间不再受限于栅介质层的厚度，有效改善了源控制栅与多晶硅栅之间由于间隔过小而导致的漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 mosfet 及其 工艺 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911297111.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
