[发明专利]包括不同类型的薄膜晶体管的显示装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201911298200.9 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111403419B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 张宰满;朴世熙;金大焕;尹弼相 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;H10K59/121;G09G3/3233 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 包括不同类型的薄膜晶体管的显示装置及其制造方法。一种显示装置包括基板、基板上的像素驱动电路和与像素驱动电路连接的显示单元，其中，像素驱动电路包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管包括：基板上的第一栅极；与第一栅极间隔开并与第一栅极的至少一部分交叠的第一有源层；与第一有源层连接的第一源极；以及与第一源极间隔开并与第一有源层连接的第一漏极，并且第二薄膜晶体管包括：基板上的第二有源层；以及与第二有源层间隔开并与第二有源层的至少一部分部分交叠的第二栅极，其中，第一栅极设置在基板和第一有源层之间，第二有源层设置在基板和第二栅极之间，并且第一栅极和第二栅极相对于第二有源层设置在相反的侧。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 不同类型 薄膜晶体管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司，未经乐金显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911298200.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
