[发明专利]基于EB-PVD制备纳米碳化物增强基体稳定性的方法有效
| 申请号： | 201911298682.8 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111041428B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 孙井永;彭王强;郭洪波 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/06;C23C14/58;C23C14/02;C23C8/64;C25D3/50;C25D5/40;C25D5/50;C23C10/48 |
| 代理公司： | 北京航智知识产权代理事务所(普通合伙) 11668 | 代理人： | 陈磊;张桢 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于EB‑PVD制备纳米碳化物增强基体稳定性的方法，采用EB‑PVD设备沉积一层致密碳膜，结合扩散处理，使得碳元素与单晶高温合金基体近表面区域中难熔元素结合原位生成弥散分布的纳米碳化物，将难熔元素以碳化物的形式固定在基体内，以抑制基体中难熔元素在服役过程中的损失速度，并增强基体的高温组织稳定性，防止在服役过程中产生二次反应区(SRZ)。本发明采用EB‑PVD设备在单晶基体上沉积碳膜，采用纯碳作为碳源，克服了在扩散中碳活度的差异，保持了碳活度的一致性，避免其他渗碳过程，如化学气相渗碳过程中气体成分波动或碳活度不易控制等问题，提高了碳化物数量、形貌、分布以及深度的可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 eb pvd 制备 纳米 碳化物 增强 基体 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学，未经北京航空航天大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911298682.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
