[发明专利]一种CMP研磨率计算方法和仿真系统在审
申请号: | 201911299451.9 | 申请日: | 2019-12-16 |
公开(公告)号: | CN111079287A | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 徐勤志;陈岚;曹鹤;刘建云 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴梦圆 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种CMP研磨率计算方法和仿真系统,首先建立CMP研磨液中研磨粒子的受力平衡方程,获取研磨粒子在研磨材质表面的嵌入深度,然后求解单粒子研磨去除总量,获取研磨材质表面研磨去除速率,最终建立一种CMP表面形貌仿真方法;此外,还提出了一种实现CMP工艺仿真的系统,可实现研磨材质表面形貌的预测和分析。 | ||
搜索关键词: | 一种 cmp 研磨 计算方法 仿真 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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