[发明专利]一种两组分研磨粒子CMP建模仿真方法在审
| 申请号： | 201911299471.6 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN111046565A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 徐勤志;陈岚;曹鹤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种两组分研磨粒子CMP建模仿真方法，首先针对两组分研磨液第一研磨粒子受力行为建立第一研磨粒子力平衡方程，获取研磨粒子在晶圆表面的嵌入深度，其次根据晶圆受力行为建立不同研磨粒子在晶圆表面嵌入深度间的内在关联，然后求解研磨粒子接触面积，再建立研磨粒子接触面积与晶圆表面研磨去除速率间函数关系，最终结合新建立的研磨去除率公式，建立一种两组分研磨粒子CMP研磨率优化方法和表面形貌仿真方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 组分 研磨 粒子 cmp 建模 仿真 方法 | ||
【主权项】：
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