[发明专利]基于等离子工艺的同步生成并图形化石墨烯的方法在审
| 申请号： | 201911299960.1 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN110993492A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 霍晓迪;金鹏;王占国;杜鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所;天津市海杰金属制品制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供一种基于等离子工艺的同步生成并图形化石墨烯的方法，包括：步骤S1：在基底上制备金属催化剂膜；步骤S2：对步骤S1制备的金属催化剂膜进行加工生成图形化金属催化剂膜层；以及步骤S3：利用等离子体化学气相沉积工艺同步生成并图形化石墨烯，完成图形化石墨烯的制备；能够简化工艺流程，不需先生成石墨烯，再进行刻蚀进行图形化，而是同步完成石墨烯的制备和图形化。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 等离子 工艺 同步 生成 图形 化石 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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