[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201911300038.X | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112416647A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 边嬉珍 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置，包括彼此间隔开的第一和第二存储区域以及布置在第一和第二存储区域之间的故障信息储存区域。在将写入操作施加于第一存储区域时，将包括关于数据的错误信息的奇偶校验码储存在故障信息储存区域的第一奇偶校验区域中。在将写入操作施加于第二存储区域时，奇偶校验码被储存在故障信息储存区域的第二奇偶校验区域中。将读取操作施加于第一存储区域时，通过储存在第一奇偶校验区域中的奇偶校验码来校正数据的错误。在将读取操作施加于第二存储区域时，通过存储在第二奇偶校验区域中的奇偶校验码来校正数据的错误。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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