[发明专利]一种高压CMOS的制造方法、高压CMOS和电子装置有效
| 申请号： | 201911300194.6 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112992663B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 何乃龙;张森 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/266;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/08;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种高压CMOS的制造方法、高压CMOS和电子装置。所述方法包括：步骤S1，提供半导体衬底；步骤S2，在所述半导体衬底上形成从下到上层叠的栅介电层和栅极材料层；步骤S3，在所述栅极材料层上形成第一图案化掩膜层，以所述第一图案化掩膜层为掩膜刻蚀所述栅介电层和栅极材料层，以形成第一栅极结构并露出所述半导体衬底上拟形成第一源漏极的区域；步骤S4，执行离子注入工艺，以形成第一源漏极，其中，所述离子注入工艺以所述第一图案化掩膜层、以及剩余的所述栅介电层和所述栅极材料层为掩膜。根据本发明，能够满足高压CMOS器件高静态击穿电压、超低特征导通电阻、高动态击穿电压以及大的安全工作区的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 cmos 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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