[发明专利]一种倒装LED芯片的制作方法在审
| 申请号： | 201911300430.4 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111048633A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 崔志勇;薛建凯;郭凯;张向鹏;文晋;尉尊康;李勇强;王雪;张晓娜 | 申请（专利权）人： | 北京中科优唯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 张宏伟 |
| 地址： | 100000 北京市顺*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本专利公开了一种倒装LED芯片的制作方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、制作倒装半导体LED芯片；步骤二、对衬底进行初切，在衬底中间形成改质区域；所述改质区域包括多条碎片裂痕；步骤三、将所述衬底上表面粗化，并在所述倒装LED芯片的衬底上表面制作纳米图案；步骤四、用表面切割的方式在所述衬底上表面进行第二次切割，在所述衬底上形成槽，槽深接近改质区域的位置；步骤五、用裂片机芯片进行裂片，获得单独的芯粒。本专利通过粗化衬底和纳米图案的提高LED芯片透光率，并通过预先设置改质层解决粗化和纳米化衬底的批量切割问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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