[发明专利]一种p型AlN薄膜及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201911300708.8 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111146299B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 杨为家;王凤鸣;关则毅;何鑫 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/103;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 肖云 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种p型AlN薄膜及其制备方法与应用，所述薄膜的结构从下至上依次为衬底、PtLi或PtLi@PtLiO纳米点层和AlZnLiN薄膜层。其制备方法包括以下步骤：S1、在衬底上形成PtLi层，对所述PtLi层进行退火处理，得到纳米颗粒层；S2、在经上述步骤处理后的衬底上生长AlZnN薄膜层，并在(600‑900)℃下保温(0.5‑12)h，Li原子溢出进入AlZnN薄膜层，从而获得AlZnLiN薄膜层。本发明方案设计巧妙，制备操作简单，制得的材料具有良好的晶体质量及光学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 aln 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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