[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201911301559.7 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112750757A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 李昇桦;陈秀明 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 席勇;董云海 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括一对主动区、第一隔离结构、栅极结构以及一对接触件。第一隔离结构位于一对主动区之间。栅极结构位于第一隔离结构上。一对接触件分别位于一对主动区上，其中一对接触件的每一个具有底表面与侧壁，侧壁垂直于底表面。借此，本发明的半导体结构，实现了接触件的高吞吐量，并且改善了半导体结构的效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
