[发明专利]半导体器件和电接触件在审
| 申请号： | 201911301985.0 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111326571A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 蒂姆·波特;奥尔里克·舒马赫;简·菲舍尔 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/45;H01L29/47;H01L21/28;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张娜;顾丽波 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及用于分立半导体器件的电接触件结构以及制造电接触件结构的对应方法。电接触件包括第一金属层，其被配置和布置为接触半导体裸片的应变有源区；第二金属层，其被配置和布置为接触第一金属层；以及第三金属层，其被配置和布置为接触第二金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 接触 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安世有限公司，未经安世有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911301985.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可加热的遮盖设备
- 下一篇：生成地形的三维表示的方法、计算机程序产品和装置
- 同类专利
- 专利分类
