[发明专利]一种高比表面积、高导电性碳纳米管材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201911302049.1 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN110950321A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 何斌;时浩;刘强;李朋;张超 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨金纳科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/158 | 分类号： | C01B32/158;C01B32/16 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 邓宇 |
| 地址： | 150028 黑龙江省哈尔滨市松*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
一种高比表面积、高导电性碳纳米管材料及其制备方法。本发明属于碳纳米材料制备技术领域。本发明解决了现有碳纳米管材料导电性不高和比表面积较小的技术问题。本发明的碳纳米管材料是以碳纳米管为基底生长的碳纳米管材料。方法：一、将含碳纳米管的分散液涂布在基体上，然后烘干；二、将步骤一后的基体进行真空溅射镀膜；三、通入惰性气体，在温度为400～1000℃的条件下保温，然后在温度为550～1000℃的条件下，通入碳原子气体与惰性气体的混合气体，并保温，得到高比表面积、高导电性碳纳米管材料。本发明的碳纳米管，纯度可达98％以上，比表面积高达100m |
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| 搜索关键词： | 一种 表面积 导电性 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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