[发明专利]一种STT-MRAM存储器单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201911302838.5 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111081867B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 高建峰;刘卫兵;李俊杰;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/10;H10N50/80;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386 | 代理人： | 杨光 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种STT‑MRAM存储器单元及其制备方法，属于微电子制造技术领域，解决现有技术中磁性隧道结TMR(隧穿磁阻)低、MTJ刻蚀过程对STT‑MRAM的TMR性能影响大的问题。本发明的STT‑MRAM存储器单元，其特征在于，包括底电极层、MTJ和顶电极层，所述MTJ包括钉扎层、隧穿层和自由层，所述顶电极层和自由层的侧面沉积有MgO薄膜。本发明制备的MTJ的TMR大于等于150％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 stt mram 存储器 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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