[发明专利]单向可控硅半波控制电容器过零投切复合开关及控制方法有效
| 申请号： | 201911303550.X | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN110970910B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 王勇;彭丽娜;唐先龙 | 申请（专利权）人： | 重庆明斯克电气有限公司 |
| 主分类号： | H02J3/18 | 分类号： | H02J3/18;H01H47/18 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 舒梦来 |
| 地址： | 401120 重庆市渝北区北部新*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低压配电网用复合开关，具体涉及一种单向可控硅半波控制电容器过零投切复合开关及其控制方法；具体是MCU处理器的I/O输出口线与可控硅光耦的输入端连接；可控硅光耦的输出端与单向可控硅的门极信号相连，单向可控硅的阳极与三相电的输入端和磁保持继电器主触点的一端相连，可控硅的阴极与电容和磁保持继电器主触点的另一端相连；MCU处理器的I/O输出口线与继电器驱动芯片输入端相连，继电器驱动芯片输出端分别与磁保持继电器的线圈相连；ABC三相输入输出端电压转换电路将A、B、C三相输入输出端的电压转换为弱电信号，并连接至MCU处理器的ADC引脚；采用本技术方案的复合开关，可控硅数量少、磁保持继电器疲劳度可控、整体可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 单向 可控硅 控制 电容器 零投切 复合 开关 方法 | ||
【主权项】：
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