[发明专利]半导体集成器件的阱制备方法和阱注入光罩组有效
| 申请号： | 201911303991.X | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111430307B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 蒲甜松;李庆民;陈信全 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体集成器件的阱制备方法和阱注入光罩组，可以利用一特制的光罩，最终实现在不同器件区域中一道形成不同的阱，例如，利用一张特制的光罩，最终在中压器件区域和低压器件区域等所需阱深不同的不同器件区域中一道制作出各个器件区域所需的阱，或者，利用一张特制的光罩，在低压器件区域、标压器件区域和存储器件区域等所需阱深相同的不同器件区域中一道制作出各个器件区域所需的阱。进一步地，在利用一光罩在不同的器件区域中制作出不同阱深的阱后，可以再利用另一光罩在一器件区域的各个子器件区域中制作出相同阱深的各个阱。本发明的技术方案，能够节约光罩，并能简化工艺流程，并可极大地节约器件制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成 器件 制备 方法 注入 光罩组 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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