[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201911305486.9 申请日: 2019-12-18
公开(公告)号: CN110993683A 公开(公告)日: 2020-04-10
发明(设计)人: 朱袁正;周锦程 申请(专利权)人: 无锡新洁能股份有限公司
主分类号: H01L29/40 分类号: H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 曹祖良;陈丽丽
地址: 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及半导体技术领域,具体公开了一种功率半导体器件,包括半导体基板,半导体基板被划分为元胞区和终端保护区,元胞区位于半导体基板的中心区,其中,半导体基板包括第一导电类型衬底和第一导电类型外延层;位于元胞区的第二导电类型体区内设置有第一类沟槽;位于终端保护区的第二导电类型体区内设置有至少一根第二类沟槽;第二类沟槽的上方设置有金属场板,金属场板位于终端保护区内,且从靠近元胞区的第二类沟槽开始并沿着远离元胞区的方向延伸,金属场板至少覆盖一根第二类沟槽。本发明还公开了一种功率半导体器件的制作方法。本发明提供的功率半导体器件能够提高功率半导体器件的耐压,提高功率半导体器件的可靠性。
搜索关键词: 一种 功率 半导体器件 及其 制作方法
【主权项】:
暂无信息
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