[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法在审
申请号: | 201911305486.9 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN110993683A | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 朱袁正;周锦程 | 申请(专利权)人: | 无锡新洁能股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/40 | 分类号: | H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;陈丽丽 |
地址: | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及半导体技术领域,具体公开了一种功率半导体器件,包括半导体基板,半导体基板被划分为元胞区和终端保护区,元胞区位于半导体基板的中心区,其中,半导体基板包括第一导电类型衬底和第一导电类型外延层;位于元胞区的第二导电类型体区内设置有第一类沟槽;位于终端保护区的第二导电类型体区内设置有至少一根第二类沟槽;第二类沟槽的上方设置有金属场板,金属场板位于终端保护区内,且从靠近元胞区的第二类沟槽开始并沿着远离元胞区的方向延伸,金属场板至少覆盖一根第二类沟槽。本发明还公开了一种功率半导体器件的制作方法。本发明提供的功率半导体器件能够提高功率半导体器件的耐压,提高功率半导体器件的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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