[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201911305486.9 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN110993683A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;陈丽丽 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种功率半导体器件，包括半导体基板，半导体基板被划分为元胞区和终端保护区，元胞区位于半导体基板的中心区，其中，半导体基板包括第一导电类型衬底和第一导电类型外延层；位于元胞区的第二导电类型体区内设置有第一类沟槽；位于终端保护区的第二导电类型体区内设置有至少一根第二类沟槽；第二类沟槽的上方设置有金属场板，金属场板位于终端保护区内，且从靠近元胞区的第二类沟槽开始并沿着远离元胞区的方向延伸，金属场板至少覆盖一根第二类沟槽。本发明还公开了一种功率半导体器件的制作方法。本发明提供的功率半导体器件能够提高功率半导体器件的耐压，提高功率半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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