[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201911305595.0 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN111048578B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 郭雨澈;崔承奎;金材宪;郑廷桓;白龙贤;张三硕;洪竖延;郑渼暻 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L33/00;H01L33/24;H01L33/32;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 姜长星;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一导电型半导体层，包括第一下导电型半导体层和第一上导电型半导体层；V‑坑，穿过第一上导电型半导体层的至少一部分；第二导电型半导体层，位于第一导电型半导体层上并填充V‑坑；活性层，置于第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间，V‑坑穿过活性层；高电阻填充层，置于活性层与第二导电型半导体层之间并填充V‑坑，其中，第一上导电型半导体层具有比第一下导电型半导体层的缺陷密度高的缺陷密度，并且第一上导电型半导体层包括包含V‑坑的起点的V‑坑产生层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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