[发明专利]氮化物半导体元件在审
| 申请号： | 201911305897.8 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN111063776A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 郭雨澈;崔承奎;金材宪;郑廷桓;白龙贤;张三硕;洪竖延;郑渼暻 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/32;H01L33/04;H01L29/15;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 姜长星;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种氮化物半导体元件。所述氮化物半导体元件包括：n型氮化物半导体层，包括第一下导电型半导体层和第一上导电型半导体层；超晶格层，位于所述n型氮化物半导体层上部；低浓度掺杂层，位于所述超晶格层上部；高浓度势垒层，位于所述低浓度掺杂层上部，相比于所述低浓度掺杂层而Si以更高浓度掺杂；活性层，位于所述高浓度势垒层上部；p型氮化物半导体层，位于所述活性层上部，其中，所述低浓度掺杂层的掺杂浓度小于所述高浓度势垒层和所述n型氮化物半导体层的掺杂浓度，V‑坑跨过所述超晶格层，低浓度掺杂层、高浓度掺杂层和活性层而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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